Intel fimpar tillverkning på 20A – lejer in TSMC för Arrow Lake

Det är inte heller riktigt så enkelt, olika typer av celler har olika densitet, så man måste då även komma överens om vilken cell man ska mäta på, sen finns det väl även flera andra faktorer som avgör hur densiteten blir i praktiken (t ex brukar vanliga ARM-SoCs ha 30% högre densitet på samma nod som GPU-kretsar), och det har väl med att göra att man måste lämna en del oanvänt kisel i högpresterande kretsar. Sen t ex nu när denard scaling och moore's law (alltså den ekonomiska delen) inte längre gäller så är ju krympningen/densiteten i sig egentligen rätt ointressant, det är ju faktiskt hur kretsen presterar och hur mycket den kostar som är avgörande, och då kan det vara dumt att strirra sig blint på en siffra, visst det brukar gå lite hand i hand, men inte lika mycket som förr!

Det har dock gjorts försök (av Intel t ex) att standardisera hur man räknar densitet: https://en.wikichip.org/wiki/mtr-mm%C2%B2

Går väl att disktera, men iom att dom lanserade det som ångrström-eran så är det nog iaf inte ampere som avses.

"New node naming to create consistent framework, more accurate view of process nodes for customers and the industry as Intel enters the angstrom era of semiconductors."

https://www.intel.com/content/www/us/en/newsroom/news/intel-a...

Rimligt, EUV maskiner och annat som behövs för utveckling inom detta fält kostar många miljoner dollar styck. Att göra noder mindre än 5 nm utan EUV är möjligt men verkligen inte rekommenderat, yields kommer vara extremt dåliga (det är för övrigt detta som "Västra Taiwan" ägnar sig åt när de producerat chip med modern feature size).

Nä, du får förklara dig, dessa koner är även nytt för mig. Är det fenorna (om vi nu förutsätter finfet) eller grinden du syftar på?

edit.
Alltså för att förtydliga, här har den en ritning på en 5nm finfet transistor

Och i verkligheten så är det många av dessa komponenter som är "konformade" (vilket vilket mer eller mindre är oundvikligt), men du säger att man mäter "konen", men "konen" är inget vedertaget begrepp för någon specifik del av en transistor så vitt jag vet. Skulle någon referera till någon del som en kon, hade jag ju gissat på fenan (därav namnet), men fenans bredd har så vitt jag vet alltid vart rätt mycket mindre än nodnamnet.

Sen oavsett, det finns så många parametrar när det kommer till MOSFET-tillverkning som påverkar densiteten som gör mätning av specifika delar rätt irrelevant. Det är bara dumt att basera nodnamnet på det, vilket är också varför det inte heller är fallet. Utan man gör en mängd förändingar som leder till en ökning i densitet, sen så sätter man en lägre siffra och säger att den nya noden har X% högre densitet än föregående nod.

Om du menar FinFET-fenor så är det väl bra mycket enklare att skriva det då istället, dom är liksom redan döpta efter sin form :), dessutom så används dom inte ens på dessa noder (alltså intels 20A och 18A) då RibbonFET används (en Gate-All-Around teknik). Dessa verkar enligt intel vara 7x12nm förövrigt. Som sagt, dessutom stämmer inte ändå att nodnamnet skulle baseras på storleken av toppen på fenan, på intels 14nm verkar dom ha en fin-width (i toppen) på 8nm.