Samsung Electronics skriver i ett pressmeddelande att företaget nu dragit igång massproduktionen av DDR5-minne på 16 gigabit (Gb) som använder sig av industrins mest avancerade nod på 12 nanometer.
Enligt den sydkoreanska elektroniktillverkaren ska det nya primärminnet ha upp till 23 procent högre energieffektivitet samtidigt som plattan (eng. wafer) också är upp till 20 procent mer produktiv än den tidigare generationen. Det är tänkt att användas för bland annat datacenter, artificiell intelligens och nästa generations datorer.
Med en topphastighet på 7,2 gigabit (Gb) per sekund ska det enligt Samsung vara möjligt att hantera två UHD-filmer på 30 gigabyte (GB) på cirka en sekund. Företaget redogör inte exakt hur de kommit fram till siffrorna.
Tillverkningen av minnet ska möjliggjorts genom användningen av ett nytt high-k-material som kunnat utöka cellkapaciteten. High-k-material är ett material med en hög dielektrisk konstant som på sina håll ersatt kiseldioxid för att göra det möjligt att tillverka ännu mindre halvledare.
För några veckor sedan rapporterade Samsung Electronics att de såg ut att nå sitt lägsta rörelseresultat sedan första kvartalet 2009. Till följd har företaget sagt att de framöver kommer dra ner på produktionen av sina minneskretsar till en “meningsfull nivå” samtidigt som de tänker fortsätta investera i infrastruktur, forskning och utveckling för att stärka sin ledande position inom industrin.
