Shanghai Testresultat (Opteron 2384, 2.7GHz)

Det är en process som jag skrev om i en annan tråd igår, annars har dom alltid lyckats väl:

http://sweclockers.com/forum/showthread.php?s=&postid=8728387...

Inte nog med att K10 monolitiska kärna blev för stor på 65nm, utan AMD's 65nm tillverkningsprocess hade en hel del läckage oavsett processor. Intel's CEO, Paul Otellini på gick också ut med att Intel inte klarade av att göra en monolitisk kärna med sin 65nm process då det var "extremt svårt", vilket AMD lyckades relativt bra med (med tanke på deras oturliga TLB bugg), varav deras första quadcore (QX6700) blev två dualcores. Denna gången är dock Intel före med en 6 kärnig monolitisk kärna. Dock kommer AMD med största sannolikhet vara före med en octacore processor baserad på dubbla Shanghai/Deneb kärnor i en MCM. Istanbul från AMD blir med största sannolikhet monolitisk och vi kanske därför också får se en 12 kärnig processor från AMD med två Istanbul kärnor i en MCM.

45nm har dom verkligen lyckats väl med av vad man sett och mätt upp, faktiskt bättre än Intel's 45nm hafnium Hi-K process som anses vara bra.

För övrigt en EXTREMT intressant tid att följa företagen nu framöver...

Mindre läckage och verkar klocka minst lika högt.

Vänta tills dom kommer så kommer du få se att det stämmer.

Läckaget har inget i sig med arkitekturen att göra, utan tillverkningsprocessen och transistorerna och dess densitet.

Det är ingen nyhet att Intel's processorer går rätt varma och har en del läckage, likaså dom nya Penryn 45nm processorerna som ändå är en hel del svalare jämfört med Conroe 65nm. Något som måste tilläggas är att Phenom också kan gå rätt varm på 65nm, men nu är det 45nm som diskuteras.

Både AMD och Intel har samma transistorstorlek nu och väldigt likt antalet transistorer i sina processorer. Den mängd ström en processor drar alstras till 99.9%+ i värme som du redan vet. I ungefär samma spänning och med samma klockfrekvens så är det därför mycket jämförbart. Dom nya Deneb/Shanghai processorerna ligger bättre till av det man sett, betydligt svalare och drar mindre energi. Jag såg data på tillverkninsprocessen för AMD's 45nm sSOI där man visade att man fått ned läckaget enormt vilket tester hittills strykt från olika håll. Det är fjärde generationen av sSOI DSL som fungerat mycket bra förutom på 65nm.

Nehalem bjuder sen på bättre prestanda tack vare arkitekturförändringar, men nyheten är att det är Intel's första monolitiska quadcore, och den går riktigt varm och behöver hög spänning för att klocka till ~4GHz av det man sett. Det intressanta är också att antalet transistorer är ganska nära Deneb/Shanghai.

Från "Intel-sidan" självt:

http://enthusiast.hardocp.com/article.html?art=MTU4MSwxLCxoZW...

Skrämmande...

Det går alltid att göra processorer mer strömsnåla, men läckaget kvarstår även om P6 arkitekturen är mer effektiv jämfört med Netburst. Sen är det realtivt dumt att jämföra med Netburst då exekveringsenheten är klockad i dubbla hastigheten och var överlägset den del som drog mest energi och blev som varmast i dom thermobilder man såg över die'n. Det är under samma förutsättningar mindre läckage bland annat tack vare SOI, vilket är dess syfte.

Det är definitivt P6 och Netburst också. Du har även Core2 som bekräftar en läckande effekt också med dess värmeutveckling. Tillverkningsprocessen och arkitekturen är fortfarande två skilda grejer. Det är ingen nyhet att Intel med alla medel fokuserat mycket på hög klockfrekvens och mindre på värmeutvecklingen/strömkonsumptionen.

Jag vet att AMD har mindre läckage som jag skrivit hela tiden.

Hehe, mmm två tungviktare dessutom

Sen när har du varit såpass tveksam? Sen att du påstår att det är dumheter för att du själv inte vet är rätt dumt.

Jag skrev tidigare att delvis arkitekturen och tillverkningsprocessen är två skilda saker där längden på processorns pipeline dock kan påverka frekvensen. För att inte diskutera för mycket om processorernas pipeline så är den tillskillnad från Netburst väldigt kort i Core2 och Nehalem (likt K10) för att minska fördröjningen på exekveringen, vilket medför sämre egenskaper för högre frekvenser. Intel's processorer har för det mesta alltid gått relativt varma (definitivt sämre prestanda/watt mot AMD's motsvarigheter under många fall förutom 65nm där Intel lyckades bättre) och det beror på att Intel bara är ute efter att optimera sin tillverkningsprocess efter en sak, att klara hög klockfrekvens oavsett andra faktorer.

Transistorerna behöver högre spänning för att operera vid högre frekvenser då dom måste ha snabbare svarstid som högre spänning påverkar, och läckaget ökar ju högre spänning du kör. Sen medför krympta processer mer läckage i sig då kretsdensiteten ökar. Det är där dilemmat kommer. AMD's tanke var inte bara att göra en enkel övergång, utan även förbättra transistorprestanda för att kunna öka klockfrekvensen, vilket delvis var Intel's tanke också.

Det vi ser är varmare processorer från Intel som klockar bra, medans man ser att AMD's 45nm processorer utvecklar mindre värme och klockar bra och bättre än tidigare på grund av mindre genombrott med bl.a snabbare transistorväxling och betydligt mindre läckage. Det är genom den förbättrade transistorprestandan ihop med maximalt optimerade tillverningsteknologier som AMD har lyckats bättre. Tillskillnad från Intel så klarade AMD av att gå till 45nm utan Hi-K process och kör Low-K Immersion-litografi/DSL/sSOI som gett möjlighet till goda klockfrekvenser med minimalt läckage.

EDIT: Hittade precis vad jag sökte till dig:
http://www.eetimes.eu/semi/showArticle.jhtml?articleID=212002...

- "Scaling transistors means better performance, but most of the dimensional scaling at 45 nm is related to gate and metal pitches rather than to length of the transistor gate or channel. The minimum gate length on Shanghai is 38 nm—a reduction of only seven percent from the 65-nm node. But the transistor performance is 19 percent better for the NFET and 23 percent better for the PFET compared with 65-nm generation transistors.

AMD improved transistor performance by squeezing every last drop out of the performance-enhancing structures already in use at 65 nm. As usual, the starting point was a silicon-on-insulator (SOI) wafer as opposed to the bulk wafer technology used elsewhere. The rest of the transistor performance story relates to strain engineering.

[color="red"]The transistor drive current for AMD's 45-nm devices is much lower than that of the Intel HKMG transistors. But power consumption is quickly becoming a high priority for server chips. AMD's transistors exhibit very low channel leakage. Our transistor benchmarks indicates that leakage current is less than one-third of the value measured on AMD's 65-nm process. It's also significantly lower than the Intel 45-nm HKMG process. In fact the Ion/Ioff ratio for AMD's PFET is nearly 10 times better than that for the Intel PFET."

[/color]

Det är en diskussion som jag ser det, och är det tråkigt att läsa om så förstår jag inte varför du är i tråden

Förlora diskussionen? För att man skriver fakta och inte fullständigt skriver ut allt i en komplett dadda-version? Jag struntar rätt grovt i om du inte tror på något man skriver som man känner till, men som nu ovanstående nämt till boris så har jag gått in lite djupare för att stryka det jag tidigare skrivit.