Forskare vid Fudan-universitetet i Shanghai har utvecklat en potentiellt banbrytande typ av flashminne, rapporterar Tom's Hardware. Flashminneskretsar och andra icke-flyktiga minnestyper är normalt många gånger långsammare än flyktiga minnestyper som DRAM och SRAM, men genom att överge kisel och istället använda kol lyckades forskarna ta fram kretsar som skriver data ännu snabbare.
Kolet i fråga har formen av grafen, en skiva av kolatomer arrangerade i ett hexagonalt rutnät som har visat sig ha flera häpnadsväckande egenskaper – något som bland annat uppmärksammades med ett Nobelpris 2010.
Tekniken har fått namnet Phase-change Oxide eller Pox, och en skrivcykel tar så lite som 400 pikosekunder – upp till 25 gånger snabbare än vanligt arbetsminne, som ligger på 1–10 nanosekunder. Jämfört med traditionellt flashminne, vars skrivhastighet för enstaka ettor och nollor ligger på minst en mikrosekund, handlar det om tusentals gånger högre hastighet.
I en storskalig lagringskrets finns det så klart många andra parametrar som avgör både bandbredden och hastigheten på små slumpmässiga läs- och skrivoperationer, och det är en bra bit kvar till färdiga produkter. Forskarna har hittills visat att tekniken är gångbar i enskilda minnesceller och håller nu på att försöka skala upp den till större strukturer.
